Tópicos de Variedades Complexas Doutorado IMPA-Verão 2013 César Camacho ( MATEMATICO PERUANO )

Tópicos de Variedades Complexas Doutorado IMPA-Verão 2013 César Camacho 08/01/13 aula 01

INTERSOLAR SOUTH AMERICA - A FEIRA E CONFERÊNCIA INTERNATIONAL NA AMÉRICA DO SUL PARA O SETOR DE ENERGIA SOLAR Expo Center Norte, em São Paulo, Brasil, os dias 1-3 de setembro de 2015

INTERSOLAR SOUTH AMERICA - A FEIRA E CONFERÊNCIA INTERNACIONAL NA AMÉRICA DO SUL PARA O SETOR DE ENERGIA SOLAR

 A exposição e conferência Intersolar South America acontecerá no Expo Center Norte, em São Paulo, Brasil, os dias 1-3 de setembro de 2015 e se centrará nas áreas de energia fotovoltaica, as tecnologias de produção fotovoltaica, armazenamento de energia e tecnologias solares térmicas. Desde que foi fundada, Intersolar tornou-se a plataforma mais importante para os fabricantes, fornecedores, distribuidores, prestadores de serviços e parceiros da indústria solar.
LINK ORIGINAL
http://www.intersolar.net.br/pt/inicio.html

A SunEdison é a líder mundial na área de energia solar fotovoltaica

AMÉRICA LATINA

 A SunEdison está presente na América Latina desde 2010, com escritórios em São Paulo e Recife (Brasil), Santiago (Chile) e Cidade do México (México)

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A SunEdison assinou em janeiro de 2013 um acordo com a companhia mineira e de aço Grupo CAP para construir o que está previsto que será a maior usina fotovoltaica da América Latina, ao final de sua construção. A usina, localizada no deserto do Atacama, terá uma potência de 100 MW e capacidade para abastecer 15% da demanda de energia do grupo mineiro. O sistema irá incorporar a tecnologia SunEdison. Uma vez concluído, o projeto será operado pelo ROC (Centro de Operações de Energias Renováveis da SunEdison). O ROC oferece um serviço de monitoramento e gerenciamento 24 horas, que otimiza a produção de energia da usina. Em seu primeiro ano de funcionamento, a instalação irá gerar 270 GWh de energia limpa anualmente, evitando a emissão para a atmosfera de mais de 135.000 toneladas de CO2 ao ano, o que equivale à retirada de 30.000 automóveis de circulação.

 Brasil: Tanquinho

A usina fotovoltaica de Tanquinho está localizada no município de Campinas, em São Paulo. A instalação tem uma potência instalada de 500 kW e foi construída entre agosto e novembro de 2012. A SunEdison foi a responsável pelo projeto, engenharia e construção da usina. A instalação é composta por 1.700 módulos policristalinos montados nos orientadores de um eixo A90 projetado pela SunEdison. Durante seu primeiro dia de operação, a usina irá gerar energia limpa suficiente para atender à demanda de 160 famílias no Brasil e evitar a emissão de 296 toneladas de CO2 para a atmosfera.

 Brasil: Rio Grande do Norte

 A SunEdison assinou em 2013 em acordo com a companhia energética Petrobras para construir uma das maiores instalações solares fotovoltaicas existentes no Brasil até então. Uma vez terminada a fase de construção da usina, a SunEdison vai lidar tanto com a operação como com os serviços de manutenção da mesma. A usina será localizada em Alto do Rodrigues, Rio Grande do Norte e será construída com tecnologia SunEdison (módulos e orientadores), terá uma capacidade de 1,1 MW e uma produção anual estimada de 1,65 GW. A construção da usina é parte de uma iniciativa liderada pela Petrobras dentro do Programa de Pesquisa e Desenvolvimento da ANEEL (“Agência Nacional de Energia Elétrica do Brasil”).
ARTIGO COMPLETO LINK ORIGINAL
http://www.sunedison.com.br/sobre-a-sunedison/america-latina.html

Colección de problemas en ingeniería eléctrica y electrónica Bladyko V.

LINK
http://www.mediafire.com/view/ar75520025r48rg/Colecci%C3%B3n_de_problemas_en_ingenier%C3%ADa_el%C3%A9ctrica_y_electr%C3%B3nica__Bladyko_V.pdf

Shebes MR, MV Kablukova PROBLEMAS EN LA TEORIA DE CIRCUITOS ELECTRICOS LINEALES

En el "Libro de los problemas de la teoría de circuitos eléctricos lineales" Shebes MR y Kablukova explica la teoria basica y las fórmulas principales relacionadas con los circuitos eléctricos  también muestra  ejemplos de problemas típicos de  ingeniería eléctrica con soluciones y explicaciones, los métodos básicos de cálculo de los circuitos eléctricos en el estado transitorio y en el estado estacionario de problemas con el uso de calculadoras programables.
LINK
http://www.mediafire.com/view/pcyb4y3cyxnbcxz/Libro_de_los_problemas_en_la_teor%C3%ADa_de_circuitos_el%C3%A9ctricos_lineales-KABLUKOVA.pdf

Elektronische Schaltungen 1: Grundlagen, Analyse, Aufbau Por Horst Wupper,Ulf Niemeyer

LINK GOOGLE BOOK
https://books.google.com.br/books?id=qW_zBQAAQBAJ&lpg=PR4&ots=xTkgydGG-J&dq=Elektronische%20Schaltungen%201%3A%20Grundlagen%2C%20Analyse%2C%20Aufbau%20(Springer-Lehrbuch)&hl=pt-BR&pg=PP1#v=onepage&q&f=false

Circuitos eléctricos: problemas y ejercicios resueltos Julio Usaola García, María Ángeles Moreno López de Saá

LINK ORIGINAL
http://en.bookfi.org/book/1448566

Electrical Circuit Theory and Technology BIRD

LINK ORIGINAL
http://bookfi.org/dl/1407130/0c3f62

Energías Renovables, Generación Distribuida y Microredes Parte 1 - Jueves 20 de Agosto 2015 – 6:30 pm. Lugar: FIEE-UNI, Lima – Perú. Expositor: MSc. .Jorge Mírez Tarrillo

Enlace Parte 1: https://youtu.be/4k7BPpdO_H0

Enlace Parte 2 : https://youtu.be/St4dRPdZG_k

Video de Conferencia “Energías Renovables, Generación Distribuida y Microredes”. Jueves 20 de Agosto 2015 – 6:30 pm. Lugar: FIEE-UNI, Lima – Perú. Expositor: Jorge Mírez

Advanced GaN-based MISFET for RF/Power Application KI SIK IM - KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY

( Abstract ) the advanced GaN-based MISFETs for RF/power application were fabricated and characterized using advanced technologies. The applications of the GaN-based MISFET are the RF amplifier in chapter 3 and power switching in chapter 4 and 5, respectively. The key requirements of HEMT are high frequency, high RF power, and low leakage current. AlGaN/GaN HEMT with T-gate of 0.15 ?m exhibits excellent performances such as Id,max of 1 A/mm, maximum gm of 180 mS/mm, fT of 55 GHz, and fmax of 100 GHz with Pout = 4 W/mm. Appling the air-bridge process, AlGaN/GaN HEMT with 30-finger for applying K-band amplifier was successfully fabricated without reducing DC & RF performance. Normally-off operation, low on-resistance, and high breakdown voltage are very important for power switching application. A recessed-gate normally-off GaN MOSFET with an Al2O3 gate insulator was proposed by utilizing an extremely high 2-D electron-gas density (> 1014/cm2) at an AlGaN/GaN heterostructure as source and drain, which can be obtained by controlling the tensile stress accompanied with the growth of GaN on silicon substrate. The fabricated MOSFET with stress controlled source and drain exhibited excellent device performances, such as a threshold voltage of 2 V, drain current of 353 mA/mm, extrinsic gm of 98 mS/mm, and ?FE of 225 cm2/V?s. The dry etching condition of AlGaN layer for recessed-gate was optimized to obtaining the high Vth (> 2 V).
LINK
http://www.mediafire.com/view/8j4z7xxmxve7yzx/Advanced_GaN-based_MISFET_for_RFPower_Application.pdf