“SE SEUS PROJETOS FOREM PARA UM ANO,SEMEIE O GRÂO.SE FOREM PARA DEZ ANOS,PLANTE UMA ÁRVORE.SE FOREM PARA CEM ANOS,EDUQUE O POVO.”

“Sixty years ago I knew everything; now I know nothing; education is a progressive discovery of our own ignorance. Will Durant”

OBRIGADO DEUS PELA VIDA,PROTEGENOS E GUARDANOS DE TODO MAL


SAO PAULO BRASIL

terça-feira, 25 de agosto de 2015

Energías Renovables, Generación Distribuida y Microredes Parte 1 - Jueves 20 de Agosto 2015 – 6:30 pm. Lugar: FIEE-UNI, Lima – Perú. Expositor: MSc. .Jorge Mírez Tarrillo






Enlace Parte 1: https://youtu.be/4k7BPpdO_H0

Enlace Parte 2 : https://youtu.be/St4dRPdZG_k

Video de Conferencia “Energías Renovables, Generación Distribuida y Microredes”. Jueves 20 de Agosto 2015 – 6:30 pm. Lugar: FIEE-UNI, Lima – Perú. Expositor: Jorge Mírez

Advanced GaN-based MISFET for RF/Power Application KI SIK IM - KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY



( Abstract ) the advanced GaN-based MISFETs for RF/power application were fabricated and characterized using advanced technologies. The applications of the GaN-based MISFET are the RF amplifier in chapter 3 and power switching in chapter 4 and 5, respectively. The key requirements of HEMT are high frequency, high RF power, and low leakage current. AlGaN/GaN HEMT with T-gate of 0.15 ?m exhibits excellent performances such as Id,max of 1 A/mm, maximum gm of 180 mS/mm, fT of 55 GHz, and fmax of 100 GHz with Pout = 4 W/mm. Appling the air-bridge process, AlGaN/GaN HEMT with 30-finger for applying K-band amplifier was successfully fabricated without reducing DC & RF performance. Normally-off operation, low on-resistance, and high breakdown voltage are very important for power switching application. A recessed-gate normally-off GaN MOSFET with an Al2O3 gate insulator was proposed by utilizing an extremely high 2-D electron-gas density (> 1014/cm2) at an AlGaN/GaN heterostructure as source and drain, which can be obtained by controlling the tensile stress accompanied with the growth of GaN on silicon substrate. The fabricated MOSFET with stress controlled source and drain exhibited excellent device performances, such as a threshold voltage of 2 V, drain current of 353 mA/mm, extrinsic gm of 98 mS/mm, and ?FE of 225 cm2/V?s. The dry etching condition of AlGaN layer for recessed-gate was optimized to obtaining the high Vth (> 2 V).
LINK
http://www.mediafire.com/view/8j4z7xxmxve7yzx/Advanced_GaN-based_MISFET_for_RFPower_Application.pdf

segunda-feira, 24 de agosto de 2015

9º Seminário de Eletrônica de Potência e Controle (SEPOC 2015) UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA BRASIL




Tema do evento O 9º Seminário de Eletrônica de Potência e Controle (SEPOC 2015) tem como tema central "Sistemas Inteligentes: Energia para um Futuro Sustentável", englobando os seguintes subtemas: 

-Sistemas Inteligentes 
-Topologias de Conversores para Processamento de Energia e/ou
 -Conexão ao Sistema de Potência 
- MicroGrids, Energias Renováveis e Geração Distribuída
- Sistemas de Controle para Equipamentos Eletrônicos
 -Sistemas de Iluminação Inteligentes 
 -Acionamento e Controle de Máquinas Elétricas 
-Modelagem, Simulação e Análise de Sistemas de Potência 
-Operação e Controle de Sistemas de Potência 
-Planejamento da Expansão de Sistemas de Potência
 -Proteção de Sistemas Elétricos 
-Qualidade de Energia Elétrica Eficiência Energética e Gerenciamento de Carga 
-Tecnologias de Dispositivos e Equipamentos 
-Redes de Comunicação 
-Eficiência e Confiabilidade de Equipamentos Eletrônicos.

LINK ORIGINAL DEL EVENTO
http://coral.ufsm.br/sepoc/sepoc2015/


DL SGWD - LABORATÓRIO DE REDES ELÉTRICAS INTELIGENTES



Este sistema modular estuda a geração, transmissão e proteção de uma rede elétrica nacional supervisionada por software SCADA e inclui sistema de geração de energia elétrica por fontes hidroelétrica, térmica e o eólica simuladas, todo integrado na rede e supervisionados. Os módulos que possuem interface RS485 são programáveis via software SCADA e isso permite parametrizar a rede elétrica em termos de variáveis como, por exemplo, sobre corrente, sobre tensão, diferença de fases entre geradores, níveis de ruídos a suportar, etc. Todos os medidores são verificados pelo software (via RS485) e as medidas são mostradas na tela do supervisório. Focalizando o estudo e a compreensão de conceitos relacionados com a gestão inteligente da geração, distribuição e utilização da energia elétrica (Smart Grid) o sistema apresenta uma rede de informação que pode apoiar a rede de distribuição de energia elétrica gerenciá-la de forma "inteligente", evitando o desperdício de energia, sobrecargas e quedas de tensão. Em
um sistema deste tipo, qualquer excedente de energia produzida em diferentes áreas geográficas, é redistribuído de forma dinâmica e imediata.

Generating Smart Grid Solutions