PETROLEO Pré-Sal - Futuro Promissor ou Doença Holandesa?

Pré-Sal - Futuro Promissor ou Doença Holandesa?
Palestra realizada na 62ª SBPC, na Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Amazônia Azul.
SR. AROLDO LIMA-PRESIDENTE ANP

Entenda o que está por trás dessa grande descoberta brasileira.Realização: Fundação Maurício Grabois



DEBATE EN LA SOCIEDADE BRASILEIRA DE CIENCIA,SOBRE LOS RIESGOS DE LA NUEVAS DESCUBIERTAS DE PETROLEO,PENSAR QUE LOS MAYORES INGRESOS DE DIVISAS VENGAN DE LA VENTA DEL PETROLEO,LA DESINDUSTRIALIZACION DEL PAIS,NO CAUSAR DERRAMES DE PETROLEO COMO EN MEXICO Y NO TENER CONOCIMIENTO Y TECNOLOGIA PARA RESOLVER EL PROBLEMA,ME PARECE UN TEMA DIGNO DE REFLEXION PARA TODOS LOS PAISES LATINOAMERICANOS,MINISTROS DE ENERGIA.

Ministro da Ciência e Tecnologia - Inauguração do Laboratório de Física do Petróleo - UFRN

Liacir Lucena, Coordenador do CISCPET - UFRN(UNIVERSIDADE FEDERAL RIO GRANDE DO NORTE), fala dos desafios para exploração do petróleo em águas profundas e as conquistas do Departamento de Física da UFRN .
_ Ministro da Ciência e Tecnologia Sérgio Rezende relembra a crise do petróleo a 35 anos, suas consequências negativas e positivas, conquistadas devido ao empreendedorismo brasileiro, comemora o fim da dívida externa, as conquistas da Petrobras e ressalta a preocupação gerada com o desastre no Golfo do México.
_ Acompanhe a visita nas instalações do laboratório.*Experimente assistir com mais qualidade mudando de 360p para 480, 720 ou 1080, até onde seu PC responder.

NANO-DISPOSITIVOS PARA LAS TELECOMUNICACIONES OPTICAS

NANO-DISPOSITIVOS PARA LAS TELECOMUNICACIONES OPTICAS
DR. VICTOR GARCIA RIVERA
INSTITUTO DE FISICA DE SÃO CARLOS -UNIVERSIDAD DE SÃO PAULO- BRASIL
RED INTERNACIONAL DE CIENCIA TECNOLOGIA:
http://www.cienciaperu.org/
XVII Encuentro Científico Internacional de verano (ECI2010v)

CIENTIFICO PERUANO EN LA UNIVERSIDAD DE STADFORD

Fernando Ponce
Professor
Ph.D., Stanford University
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Home Department - Physics
Areas of Study - Wide-gap semiconductors for applications in solid state lighting and photovoltaics
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Office - PSF 334
Phone - 480-965-5557
E-mail - ponce@asu.edu
Background
Prof. Ponce’s research group is involved in the study of the microscopic properties of semiconductors materials. The atomic arrangement at extended defects (dislocations) and interfaces is analyzed using lattice-imaging techniques (transmission electron microscopy) with resolutions below 0.2nm, and diffraction contrast imaging techniques. The electronic properties are studied using electron beam induced current imaging. Variations of the electrostatic potential are measured using electron holography in the transmission electron microscopy. Optical transitions are observed using cathodoluminescence spectroscopic imaging.

An important area of interest is the physics of nitride semiconductors. These are GaN-based materials used in light emitting devices, and include InGaN and AlGaN alloys used for visible and ultraviolet LEDs and laser diodes. This research is being supported by the Department of Energy, Nichia Corporation, and the VIGIL Program of DARPA.

Selected PublicationsQ. Y. Wei, Z. H. Wu, K. W. Sun, F. A. Ponce, J. Hertkorn, and F. Scholz (2009). Evidence of two-dimensional hole gas in p-type AlN/GaN heterostructures. Applied Physics Express, 27 November 2009, Vol. 2, 121001.

F. A. Ponce, Z. H. Wu, Q. Y. Wei, H. D. Fonseca-Filho, C. M. Almeida, R. Prioli and D. Cherns (2009). Nanoscale dislocation patterning by scratching in an atomic force microscope. Journal of Applied Physics, 15 October 2009, Vol. 106, 076106.

J. N. Dai, X. H. Wu, C. H. Yu, Q. Zhang, Y. Q. Sun, Y. K. Xiong, X. Y. Han, L. Z. Tong, Q. H. He, F. A. Ponce, and C. Q. Chen (2009). Comparative study on MOCVD growth of a-plane GaN films on r-plane sapphire substrates using GaN, AlGaN, and AlN buffer layers. Journal of Electronic Materials, September 2009, Vol. 38, pp. 1938-1943.

J. Hertkorn, S. B. Thapa, T. Wunderer, F. Scholz, M. A. Moram and C. J. Humphreys, C. Vierheilig, and U. T. Schwarz (2009). Highly conductive modulation doped composition graded p-AlGaN/(AlN)/GaN multi-heterostructures grown by MOVPE. Journal of Applied Physics, 14 July 2009, Vol. 106, 013720.

FULL PUBLICATIONS :http://physics.asu.edu/people/faculty

Formação de especialistas e mão -de-obra científica voltada para a inovação: Perspectivas globais e regionais

SOCIEDADE BRASILEIRA PARA O PROGRESSO DA CIÊNCIA

Mesa-Redonda: Formação de especialistas e mão -de-obra científica voltada para a inovação: Perspectivas globais e regionais
Coordenador: Celso P. de Melo (UFPE)
Participantes: César Zucco (IUPERJ), Alaor Silvério
Chaves (UFMG)