CIENTIFICO PERUANO EN LA UNIVERSIDAD DE STADFORD

Fernando Ponce
Professor
Ph.D., Stanford University
--------------------------------------------------------------------------------
Home Department - Physics
Areas of Study - Wide-gap semiconductors for applications in solid state lighting and photovoltaics
--------------------------------------------------------------------------------
Office - PSF 334
Phone - 480-965-5557
E-mail - ponce@asu.edu
Background
Prof. Ponce’s research group is involved in the study of the microscopic properties of semiconductors materials. The atomic arrangement at extended defects (dislocations) and interfaces is analyzed using lattice-imaging techniques (transmission electron microscopy) with resolutions below 0.2nm, and diffraction contrast imaging techniques. The electronic properties are studied using electron beam induced current imaging. Variations of the electrostatic potential are measured using electron holography in the transmission electron microscopy. Optical transitions are observed using cathodoluminescence spectroscopic imaging.

An important area of interest is the physics of nitride semiconductors. These are GaN-based materials used in light emitting devices, and include InGaN and AlGaN alloys used for visible and ultraviolet LEDs and laser diodes. This research is being supported by the Department of Energy, Nichia Corporation, and the VIGIL Program of DARPA.

Selected PublicationsQ. Y. Wei, Z. H. Wu, K. W. Sun, F. A. Ponce, J. Hertkorn, and F. Scholz (2009). Evidence of two-dimensional hole gas in p-type AlN/GaN heterostructures. Applied Physics Express, 27 November 2009, Vol. 2, 121001.

F. A. Ponce, Z. H. Wu, Q. Y. Wei, H. D. Fonseca-Filho, C. M. Almeida, R. Prioli and D. Cherns (2009). Nanoscale dislocation patterning by scratching in an atomic force microscope. Journal of Applied Physics, 15 October 2009, Vol. 106, 076106.

J. N. Dai, X. H. Wu, C. H. Yu, Q. Zhang, Y. Q. Sun, Y. K. Xiong, X. Y. Han, L. Z. Tong, Q. H. He, F. A. Ponce, and C. Q. Chen (2009). Comparative study on MOCVD growth of a-plane GaN films on r-plane sapphire substrates using GaN, AlGaN, and AlN buffer layers. Journal of Electronic Materials, September 2009, Vol. 38, pp. 1938-1943.

J. Hertkorn, S. B. Thapa, T. Wunderer, F. Scholz, M. A. Moram and C. J. Humphreys, C. Vierheilig, and U. T. Schwarz (2009). Highly conductive modulation doped composition graded p-AlGaN/(AlN)/GaN multi-heterostructures grown by MOVPE. Journal of Applied Physics, 14 July 2009, Vol. 106, 013720.

FULL PUBLICATIONS :http://physics.asu.edu/people/faculty

Formação de especialistas e mão -de-obra científica voltada para a inovação: Perspectivas globais e regionais

SOCIEDADE BRASILEIRA PARA O PROGRESSO DA CIÊNCIA

Mesa-Redonda: Formação de especialistas e mão -de-obra científica voltada para a inovação: Perspectivas globais e regionais
Coordenador: Celso P. de Melo (UFPE)
Participantes: César Zucco (IUPERJ), Alaor Silvério
Chaves (UFMG)

IEEE-USA 2009 Annual Meeting - Keynote - Richard Walje

IEEE-USA 2009 Annual Meeting - Keynote - Richard Walje President, Rocky Mountain Power.

Las patentes y el libro "Emergencia de la Ciencia, la Tecnología e Innovación en el Perú"

Domingo 14 de noviembre del 2010
10:00 a.m.
91.1 FM
www.radiosanborja.com/audio.html

Conducción: Modesto Montoya (Director) y Luciana Amado

Tema: Las patentes y el libro "Emergencia de la Ciencia, la Tecnología e Innovación en el Perú"
Entrevista por teléfono con Benjamín Marticorena, ex presidente del CONCYTEC
Entrevista en estudio con
Abel Gutarra (UNI)
y
Julio Santiago (IPEN), primer investigador de instituto que patentó en el siglo XXI http://www.encuentroconlaciencia.com/

Brasil en las ligas mayores de la Ciencia

Escribe Modesto Montoya

Reportes Ciencia Perú
2 de diciembre del 2010

Ignacio Lula, obrero metalurgista, es uno de los poquísimos líderes latinoamericanos que, comprendiendo el valor de la ciencia y la tecnología, asignó recursos y promulgó leyes para incentivarlas. Como resultado, durante su gobierno, se duplicó el número anual de publicaciones científicas brasileras. Además, con 103 patentes en Estados Unidos, los brasileros lideran la inventiva en América Latina, lejos delante de México (60) y de Argentina (45). Veamos algunos rasgos de la política científica y tecnológica de Lula.

Desde el 2005, Lula nombró como Ministro de Ciencia y Tecnología a Sérgio Machado Rezende, Maestro y doctor en física por el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT) de Estados Unidos. Comprendiendo la importancia de la investigación industrial, se dio leyes que permitían incentivos fiscales a las empresas que realizaban investigación, e incluso hacia posible remunerar a los investigadores de la industria privada.

Brasil ahora ocupa el décimo tercer lugar en el ranking en publicaciones científicas, ganándoles a varios países desarrollados. El número de doctores graduados en Brasil el año 2010 fue el doble que el del 2001. Se ha abierto 134 campus universitarios y miles de nuevos puestos de académicos.

Para impulsar la ciencia en Brasil, se ha creado un impuesto a las grandes compañías, con lo que el presupuesto de ciencia y tecnología, que hace 10 años era de 600 millones de dólares, ha aumentado a 4 mil millones de dólares. El mayor contribuyente es la empresa petrolera Petrobras.

En el año 2008, luego de dos décadas de receso, Brasil reactivó su política nuclear, planeando construir 8 reactores nucleares de potencia. Ahora domina el ciclo de combustible, logrando imponer sus condiciones de producción de uranio enriquecido, a pesar del inicial recelo de las potencias nucleares. Además de las aplicaciones energéticas nucleares, Brasil ha negociado su participación en el Centro Europeo de Investigaciones Nucleares (CERN), en el que se investiga el comportamiento de la materia en condiciones similares a las que existieron en el origen del universo. Con ello, los científicos brasileros investigarán, neurona a neurona, con los científicos de las potencias nucleares los temas cruciales de las ciencias básicas. Ello va a significar a Brasil una cuota anual de 14 millones de dólares.

Luego de una intensa y sostenida promoción realizada por el Ministerio de Ciencia y Tecnología, algunas empresas brasileras empiezan a construir complejos industriales de ciencia y tecnología. Por ejemplo, la empresa minera de hierro Vale S.A. invertirá 180 millones de dólares para desarrollar tres institutos científicos corporativos, con la idea de tener su propio MIT. Los temas de investigación de esos institutos serán biodiversidad, energía renovable y tecnología minera. Para liderar este ambicioso proyecto Vale S.A. ha contratado al físico Luiz Mello.

La promoción de las publicaciones y patentes ha generado gran interés en las universidades. La Universidad Federal de Minas Gerais ha llegado a depositar más de 350 solicitudes de patentes.

Brasil apunta ahora a la inmensa Amazonía para intensificar la investigación de sus enormes riquezas, por lo que está formando una gran cantidad de investigadores en temas amazónicos. No contento con ello, Brasil está atrayendo científicos extranjeros, a quienes les ofrece todas las facilidades de residencia posibles.

Con un plan estratégico ambicioso, el Ministerio de Ciencia y Tecnología apoya ahora las ciencias básicas, desde la computación cuántica hasta las células madre.
A pesar del evidente avance, los científicos brasileros no están satisfechos. La Sociedad Brasileña para el Avance de la Ciencia quiere que su país triplique su inversión en ciencia y tecnología y también triplique el número de sus publicaciones. Pero, sobre todo, desea que el país ingrese al club científico de los 10 más grandes del mundo.

En el Perú, las cosas toman otros cursos. La mayoría de los científicos peruanos de alta productividad, ante el desdén que tiene el Estado por la ciencia, se ha ido Brasil. Otros emigran a Estados Unidos y Europa. “Soy investigadora, me voy porque en el Perú, contrario a lo que sucede en otros países, no se valora la investigación. No encajo en esa situación”, dice Luciana Amado, peruana doctorada en biología molecular por la Universidad de Illinois, después de buscar un lugar durante 6 meses en su patria.

(*) basado en informe de la revista Science:
Brazilian Science: Riding a Gusher 3dic2010 Vol 303