AUTOR DO BLOG ENG.ARMANDO CAVERO MIRANDA SÃO PAULO BRASIL

"OBRIGADO DEUS PELA VIDA,PELA MINHA FAMILIA,PELO TRABALHO,PELO PÃO DE CADA DIA,PROTEGENOS DO MAL"

"OBRIGADO DEUS PELA VIDA,PELA MINHA FAMILIA,PELO TRABALHO,PELO PÃO DE CADA DIA,PROTEGENOS  DO MAL"

“SE SEUS PROJETOS FOREM PARA UM ANO,SEMEIE O GRÂO.SE FOREM PARA DEZ ANOS,PLANTE UMA ÁRVORE.SE FOREM PARA CEM ANOS,EDUQUE O POVO.”

“Sixty years ago I knew everything; now I know nothing; education is a progressive discovery of our own ignorance. Will Durant”

https://picasion.com/
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quarta-feira, 12 de janeiro de 2022

Modelo de cálculo de perdas por comutação e método de seleção de tecnologias de transistores FET aplicados a conversores estáticos-Edemar de Oliveira Prado-UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA CENTRO DE TECNOLOGIA PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA

MODELO DE CÁLCULO DE PERDAS POR COMUTAÇÃO E MÉTODO DE SELEÇÃO DE TECNOLOGIAS DE TRANSISTORES FET APLICADOS A CONVERSORES ESTÁTICOS 
Autor: Edemar de Oliveira Prado Orientador: José Renes Pinheiro 

RESUMO Esta dissertação apresenta um modelo analítico para auxiliar no cálculo de perdas por comutação e uma metodologia de seleção de MOSFETs que operam tensões de bloqueio maiores que 100 V. O modelo foi desenvolvido com base em conceitos físicos e elétricos da estrutura FET, considerando as não linearidades da capacitância Miller em função da variação de tensão, presentes principalmente em MOSFETs fabricados para operar tensões acima de 100 V. Resultados de simulação e experimentais que validam o modelo foram obtidos, considerando a faixa de frequência de 1 - 300 kHz, onde o limite de operação do gate driver foi atingido. O modelo proposto foi comparado a modelos de cálculo de perdas frequentemente utilizados na literatura, onde se observou que os demais modelos utilizados apresentaram aumento no erro relativo para frequências acima de 50 kHz. Sistemas de transferência de calor são analisados e discutidos. O modelo de cálculo de perdas proposto é utilizado no desenvolvimento de uma análise comparativa entre as tecnologias de MOSFET convencional de Silício, superjunção, SiC e GaN. O impacto das capacitâncias parasitas, temperatura de junção, resistências intrínsecas a estrutura, frequência de comutação e níveis de potência em cada tecnologia são analisados. Áreas de tendências de aplicação são definidas para cada tecnologia com base nos rendimentos em função da frequência e da potência.

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sábado, 8 de janeiro de 2022

POWER ELECTRONICS PROF. YONGSUG SUH - CHONBUCK NATIONAL UNIVERSITY - KOREA OPEN COURSEWARE- THREE- PHASE INVERTER


 

INVERTER THREE-PHASE Principles of static power conversion , switching cell structure , DC-DC converter , AC-DC converter , DC-AC converter POWER ELECTRONICS PROF. YONGSUG SUH - CHONBUCK NATIONAL UNIVERSITY - KOREA OPEN COURSEWARE-PART4 ASSISTANT PROFESSOR -UNIVERSITY OF WISCOSIN-MADISON US PHD ELECTRICAL ENGINEERING.

sexta-feira, 7 de janeiro de 2022

Reliability of Modern Power Electronic based Power Systems - Prof. Frede Blaabjerg Professor in Power Electronics, Villum Investigator, Aalborg University, Denmark


Power Electronics Group of TalTech This video was recorded during a seminar co-organized by the Doctoral School of Energy and Geotechnology III, TalTech, and IES/PELS/PES/IAS Joint Societies Chapter, IEEE Estonia Section. The talk was given at the Department of Electrical Power Engineering and Mechatronics, Tallinn University of Technology, Estonia, on November 30, 2021.

quarta-feira, 5 de janeiro de 2022

POWER ELECTRONICS PROF. YONGSUG SUH - CHONBUCK NATIONAL UNIVERSITY - KOREA OPEN COURSEWARE-PART4-INDUCTOR and Capacitor Response Inductor and Capacitor Response Ideal Switch and Switching Function


Inductor and Capacitor Response Inductor and Capacitor Response Ideal Switch and Switching Function Principles of static power conversion , switching cell structure , DC-DC converter , AC-DC converter , DC-AC converter POWER ELECTRONICS PROF. YONGSUG SUH - CHONBUCK NATIONAL UNIVERSITY - KOREA OPEN COURSEWARE-PART4
ASSISTANT PROFESSOR -UNIVERSITY OF WISCOSIN-MADISON US PHD ELECTRICAL ENGINEERING.